IR2110S Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, 500В, 2А

Отличительные особенности:

• Управляющие каналы разработаны для нагруженного функционирования полностью работоспособны до +500В или +600В
• Нечувствителен к отрицательным напряжениям при переходных процессах
• Стойкость к скорости нарастания напряжения (dV/dt)
• Диапазон напряжения питания драйверов 10…20В
• Блокировка при снижении напряжения
• Отдельное питание логики от 5В до 20В
• Смещение логики и общего питания ±5В
• Входы с КМОП триггерами Шмита с привязочными резисторами к общему питания
• Тактирование логики выключения
• Согласованная задержка распространения для обоих каналов
• Выходы драйвера в фазе со входами
• Напряжение смещения VOFFSET
• не более 500В (IR2110)
• не более 600В (IR2113)
• Имп.вых. ток к.з Iо±2 А/ 2 А
• Выходное напряжение драйверовVOUT 10 – 20В
• Время вкл./выкл.120/94 нс
• Согласованная задержка10 нс
• 

Описание выводов:

• VddПитание логики
• HINЛогический вход управления выходом драйвера верхнего уровня (HO), в фазе
• LINЛогический вход управления выходом драйвера нижнего уровня (LO), в фазе
• SDВход выключения
• VSSЛогический общий
• VBНапряжение питания ключей верхнего уровня
• HOВыход драйвера верхнего уровня
• VSВозврат питания верхнего уровня
• VCCПитание драйверов нижнего уровня
• LOВыход драйвера нижнего уровня
• COMВозврат питания нижнего уровня

Описание:

IR2110, IR2113 - драйверы высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с независимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней. Собственная HVIC-технология и стойкая к защелкиванию КМОП-технология позволили создать монолитную конструкцию.

Логический вход совместим с стандартными КМОП или LSTTL выходом. Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера. Задержка при распространении сигналов согласована для применения в высокочастотных приложениях. Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 500В или до 600В.